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150W 功率放大器电路

功率放大器电路是一种输出阻抗极低的电路,主要用于驱动诸如扬声器等低阻抗且需要高功率的负载。本文设计了一个使用推挽 Class AB(AB 类)配置的功率放大器电路,实现输出功率 150W,用于驱动 8Ω 负载(扬声器)。

1. 功率放大器电路的原理​

该电路的基本原理是双极型结型晶体管(BJT)的不同偏置方式。 麦克风输出的电信号幅度非常低,这一低电压信号通过 BJT 的共射极(CE)配置并在 Class A(A 类)偏置模式下被放大到可用的电平。在这种模式下,输出信号是反相的放大信号,但其功率仍然较低。

接着,使用两个达林顿(Darlington)功率晶体管组成的 Class AB(AB 类)配置,将该低功率信号进一步放大到高功率信号。一个工作在 Class A 模式下的驱动晶体管用于驱动这一对达林顿功率晶体管。

2. 功率放大器电路理论​

该电路有两个关键部分:Class AB 放大器和 Class A 电压放大器。

  • 一个在 Class AB 模式下偏置的晶体管,仅对输入信号的一半进行放大。因此,一个 AB 类放大器由两只匹配的晶体管组成:一只在输入信号的正半周导通,另一只在负半周导通。
  • 实际的 AB 类放大器需要使用二极管为两只晶体管提供偏置,以消除交越失真。
  • 整个 AB 放大器由一个以共射极(CE)配置接法的晶体管驱动。

另一方面,在 Class A 模式下偏置的晶体管输出的是输入信号的反相信号,但其效率低,且输出阻抗也较高。

3. 150W 功率放大器电路图​

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150W 功率放大器电路图

4. 功率放大器电路设计​

4.1 AB 类放大器级设计​

1.晶体管选择​

设计要求输出功率为 150W,考虑到晶体管的功耗,假设所需的总功率约为 200W。选择 ±50V 双电源,即 VCC=50VV_{CC} = 50\text{V},负载为 8Ω。为了提高效率,选择 TIP142(NPN)和 TIP147(PNP)达林顿对晶体管。

2.偏置电阻选择​

偏置电阻上的电压应比 VCCV_{CC} 低约 1.4V。由于平均集电极电流较大,偏置电流很小,因此选择阻值较大的电阻。这里选用 3kΩ。

3.二极管选择​

电路中使用两个二极管为功率晶体管提供适当偏置,以消除交越失真。应选择与功率晶体管热特性相似的二极管,这里选用 1N4007。

4.输出电阻选择​

使用两只均衡电阻(Swamping Resistors)来最小化两只匹配晶体管之间的特性差异并提供热补偿。这些电阻应为低阻值,选用 0.33Ω。

5.自举电阻与电容选择​

自举(Bootstrapping)用于提高达林顿晶体管的输入阻抗。选用 10µF 电解电容,使其在最低频率 20Hz 时的容抗较小。自举电阻应选用较大阻值,以获得高输入阻抗,这里选择 3kΩ。

4.2 驱动级设计​

1.晶体管选择​

选择功率晶体管 TIP41 作为驱动器,以提供高功率和高增益输出。

2.发射极电阻选择​

驱动晶体管的发射极电压为 VCC2−VBE\frac{V_{CC}}{2} - V_{BE}。 当 VCC=50VV_{CC} = 50\text{V},且 VBE=0.7VV_{BE} = 0.7\text{V} 时,得到:

VE=VCC2−VBE=24.3VV_E = \frac{V_{CC}}{2} - V_{BE} = 24.3\text{V}

由于发射极电流与静态集电极电流相同,因此发射极电阻为:

RE=VEIE≈50ΩR_E = \frac{V_E}{I_E} \approx 50\Omega

实际选用 40Ω。

3.耦合电容选择​

耦合电容用于将前一级放大器输出的交流信号耦合至驱动级输入,选用 10µF 电解电容。

4.3 音频前置放大级设计​

1.晶体管选择​

由于 VCC≈50VV_{CC} \approx 50\text{V},选择最大集电极-发射极耐压大于 VCCV_{CC} 的晶体管。这里选用 NPN 晶体管 BC546。

2.负载电阻 R3R_3 选择​

根据 BC546 数据手册,静态集电极电流约为 IC=2mAI_C = 2\text{mA},使 R3R_3 上的电压约为 VCC/2V_{CC}/2,得:

R3=VCC/2IC=12.5kΩR_3 = \frac{V_{CC}/2}{I_C} = 12.5k\Omega

实际选用 10kΩ。

3.偏置电阻 R1R_1、R2R_2 选择​

假设偏置电流为基极电流的 10 倍。 BC546 的小信号电流增益 hFE≈125h_{FE} \approx 125,因此:

IB=IChFE≈0.016mAI_B = \frac{I_C}{h_{FE}} \approx 0.016\text{mA}

IE≈IB×10=0.16mAI_E \approx I_B \times 10 = 0.16\text{mA}

基极电压 VBV_B 比发射极电压 VEV_E 高 0.7V。 假设 VE=12%⋅VCC=6VV_E = 12\% \cdot V_{CC} = 6\text{V},则:

R1=VCC−VBIE≈24.5kΩ⇒取25kΩR_1 = \frac{V_{CC} - V_B}{I_E} \approx 24.5k\Omega \quad\Rightarrow\quad 取 25k\Omega

R2=VBIE≈3.35kΩ⇒取3kΩR_2 = \frac{V_B}{I_E} \approx 3.35k\Omega \quad\Rightarrow\quad 取 3k\Omega

4.反馈电阻 R5R_5 选择​

假设所需电压增益 AV=50A_V = 50,由于 R3≈10kΩR_3 \approx 10k\Omega,则:

R5=R3AV=200ΩR_5 = \frac{R_3}{A_V} = 200\Omega

5.发射极电阻 R4R_4 选择​

发射极电阻总值为:

RE=VEIE=3kΩR_E = \frac{V_E}{I_E} = 3k\Omega

由于该电阻与反馈电阻共享,取:

R4=RE−R5=3kΩ−200Ω=2.8kΩR_4 = R_E - R_5 = 3k\Omega - 200\Omega = 2.8k\Omega

实际选用 2kΩ。

6.发射极电容选择​

发射极电容应使其容抗低于发射极总电阻,选用 0.01µF 电解电容。

7.耦合电容选择​

选用 10µF 电解电容。

4.4 元器件参数表​

元件参数
R125kΩ
R23kΩ
R310kΩ
R42kΩ
R5200Ω
R63kΩ
R73kΩ
R840Ω
R9, R100.33Ω
C1, C2, C310µF, 电解
C40.01µF, 电解
Q1TIP141, NPN
Q2TIP147, PNP
Q3TIP41
Q4BC546
Vcc±50V

5. 功率放大器电路测试​

当电路设计完成并在 Multisim 中绘制后,将交流信号源通过前置放大器级的耦合电容输入,输入信号设置为:

Vin=4Vpp, f=1kHzV_{in} = 4\text{V}_{pp}, \ f = 1\text{kHz}

在负载电阻 8Ω 上连接功率计,电压端接在负载两端,电流端接在输出端与负载之间。 观测到最大输出功率约为 200W。

6. 功率放大器电路应用​

  • 用于驱动低输入阻抗的扬声器,实现音频放大。
  • 可用于驱动高功率天线,用于长距离信号传输。

7. 限制​

  • 本电路为理论设计,输出中存在一定失真。
  • 使用 BJT 等线性器件会导致功率损耗较大,从而降低系统效率。